温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准

ID:18A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道

扩展库

品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: HNVHL160N120SC1
商品编号: C42389113
商品封装: TO-247-3
商品毛重: 0.00708千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):196mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):606pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):4V

找到类似商品：0 种查看类似商品

属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	5pF
导通电阻(RDS(on))	196mΩ
工作温度	-55℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)	40nC
漏源电压(Vdss)	1200V
耗散功率(Pd)	125W
输入电容(Ciss)	606pF
输出电容(Coss)	55pF
连续漏极电流(Id)	18A
阈值电压(Vgs(th))	4V

数据手册PDF

放大查看

阶梯价格(含税价)

梯度	售价
1+	¥27.878/个
10+	¥27.236/个
30+	¥26.814/个
90+	¥26.391/个
92+	¥26.391/个
94+	¥26.391/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥26.67

30 PCS/盘

省

嘉立创补贴0.54%

一盘能省掉4.32元

库存总量

4 PCS

电话

顶部

元器件购物车