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IMW120R350M1HXKSA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMW120R350M1HXKSA1
- 商品编号
- C2997926
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.00888千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1pF,导通电阻(RDS(on)):350mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):5.3nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):182pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):4.7A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 30+ | ¥26.12/个 |
| 90+ | ¥22.9/个 |
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