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RSM1701K0W
扩展库- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 厂家型号
- RSM1701K0W
- 商品编号
- C5371984
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.0087千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):1.6pF,导通电阻(RDS(on)):1000mΩ,导通电阻(RDS(on)):1000mΩ@20V,工作温度:-40℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):21.8nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):69W,输入电容(Ciss):186pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1000mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1000mΩ@20V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.8nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 输入电容(Ciss) | 186pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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