反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):160mΩ,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),栅极电荷量(Qg):43nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):134W,输入电容(Ciss):895pF,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@20V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
栅极电荷量(Qg) | 43nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 134W | |
输入电容(Ciss) | 895pF | |
连续漏极电流(Id) | 19A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |