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HUF75639G3
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- HUF75639G3
- 商品编号
- C898256
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):65pF@25V,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V,56A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):2000pF@25V,连续漏极电流(Id):56A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,56A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 2000pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥19.38/个 |
| 10+ | ¥18.93/个 |
| 30+ | ¥18.62/个 |
| 90+ | ¥18.31/个 |
| 92+ | ¥18.31/个 |
| 94+ | ¥18.31/个 |
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