碳化硅 SiC Mosfet,具有高压、低导通电阻、高速、寄生电容小、高工作结温、快速恢复体二极管等特点,适用于光伏逆变器、UPS电源等实物图
碳化硅 SiC Mosfet,具有高压、低导通电阻、高速、寄生电容小、高工作结温、快速恢复体二极管等特点,适用于光伏逆变器、UPS电源等缩略图
碳化硅 SiC Mosfet,具有高压、低导通电阻、高速、寄生电容小、高工作结温、快速恢复体二极管等特点,适用于光伏逆变器、UPS电源等缩略图
碳化硅 SiC Mosfet,具有高压、低导通电阻、高速、寄生电容小、高工作结温、快速恢复体二极管等特点,适用于光伏逆变器、UPS电源等缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

碳化硅 SiC Mosfet,具有高压、低导通电阻、高速、寄生电容小、高工作结温、快速恢复体二极管等特点,适用于光伏逆变器、UPS电源等

扩展库
品牌名称
Slkor(萨科微)
厂家型号
SL42N120A
商品编号
C2760945
商品封装
TO-247-3
商品毛重
0.0064千克(kg)
包装方式
管装

商品参数

反向传输电容(Crss):6.7pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):76nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):1680pF,输出电容(Coss):69pF,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)6.7pF
导通电阻(RDS(on))100mΩ
工作温度-55℃~+175℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)76nC
漏源电压(Vdss)1200V
类型N沟道
耗散功率(Pd)300W
输入电容(Ciss)1680pF
输出电容(Coss)69pF
连续漏极电流(Id)42A
阈值电压(Vgs(th))3.6V

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

34.55 / PCS

库存总量

0 PCS