反向传输电容(Crss):0.6pF,导通电阻(RDS(on)):0.8Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):950V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):630pF,输出电容(Coss):50pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):5V@100uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.8Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 950V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 130W | |
输入电容(Ciss) | 630pF | |
输出电容(Coss) | 50pF | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥32.88/个 |
10+ | ¥28.25/个 |
30+ | ¥25.5/个 |
100+ | ¥22.72/个 |
500+ | ¥21.44/个 |
1000+ | ¥20.86/个 |
整盘
单价
整盘单价¥23.46
30 PCS/盘
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