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CSD18511KCS
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD18511KCS
- 商品编号
- C2863232
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):2.6mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):64nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):188W,输入电容(Ciss):5940pF@20V,连续漏极电流(Id):194A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,100A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 输入电容(Ciss) | 5940pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 194A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.62/个 |
| 10+ | ¥7.59/个 |
| 30+ | ¥6.87/个 |
| 100+ | ¥6.21/个 |
| 500+ | ¥5.91/个 |
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