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CSD19534KCS
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD19534KCS
- 商品编号
- C2867298
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7.4pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@6V,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22.2nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):118W,输入电容(Ciss):1670pF,输出电容(Coss):334pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3.4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@6V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 118W | |
| 输入电容(Ciss) | 1670pF | |
| 输出电容(Coss) | 334pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.17/个 |
| 10+ | ¥8.55/个 |
| 30+ | ¥7.54/个 |
| 100+ | ¥6.5/个 |
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