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GC6820
扩展库- 品牌名称
- Gem-micro(晶群)
- 厂家型号
- GC6820
- 商品编号
- C2880135
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 商品毛重
- 0.000116千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):140pF@8V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):560pF@8V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF@8V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF@8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
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