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N沟道,电流:0.45A,耐压:20V
扩展库- 品牌名称
- TWGMC(台湾迪嘉)
- 厂家型号
- TW1012T
- 商品编号
- C2903549
- 商品封装
- SOT-523
- 商品毛重
- 0.000026千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):5.37pF,导通电阻(RDS(on)):0.5Ω@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):736.6pC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.28W,输入电容(Ciss):60.67pF,连续漏极电流(Id):0.63A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.37pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5Ω@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 736.6pC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.28W | |
| 输入电容(Ciss) | 60.67pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.63A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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