反向传输电容(Crss):15pF@16V,导通电阻(RDS(on)):300mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):280mW,输入电容(Ciss):120pF@16V,连续漏极电流(Id):0.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 280mW | |
输入电容(Ciss) | 120pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 0.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.472/个 |
100+ | ¥0.376/个 |
300+ | ¥0.328/个 |
3000+ | ¥0.26/个 |
6000+ | ¥0.231/个 |
9000+ | ¥0.217/个 |
21000+ | ¥0.214/个 |
39000+ | ¥0.212/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2392
3000 PCS/盘
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