反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):2Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):1.9Ω@10V,栅极电荷量(Qg):1.65nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):27pF,输出电容(Coss):3pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@4.5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 1.65nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
输入电容(Ciss) | 27pF | |
输出电容(Coss) | 3pF | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.128/个 |
200+ | ¥0.0994/个 |
600+ | ¥0.0836/个 |
3000+ | ¥0.0709/个 |
9000+ | ¥0.0626/个 |
21000+ | ¥0.0582/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06523
3000 PCS/盘
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