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SI1022R-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI1022R-T1-GE3
- 商品编号
- C499479
- 商品封装
- SOT-523
- 商品毛重
- 0.000012千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2.5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.25Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.6nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):130mW,输入电容(Ciss):30pF@25V,连续漏极电流(Id):330mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V,500mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 130mW | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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