反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):115mA,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 115mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.157/个 |
200+ | ¥0.124/个 |
600+ | ¥0.105/个 |
3000+ | ¥0.0876/个 |
9000+ | ¥0.0779/个 |
21000+ | ¥0.0728/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08059
3000 PCS/盘
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