反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):23pF,输出电容(Coss):16pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 200mW | |
输入电容(Ciss) | 23pF | |
输出电容(Coss) | 16pF | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.256/个 |
200+ | ¥0.202/个 |
600+ | ¥0.172/个 |
3000+ | ¥0.138/个 |
9000+ | ¥0.123/个 |
21000+ | ¥0.114/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12696
3000 PCS/盘
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