反向传输电容(Crss):88pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):11.9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):889pF,输出电容(Coss):98pF,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 88pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 11.9nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.1W | |
输入电容(Ciss) | 889pF | |
输出电容(Coss) | 98pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.431/个 |
100+ | ¥0.343/个 |
300+ | ¥0.298/个 |
3000+ | ¥0.257/个 |
6000+ | ¥0.231/个 |
9000+ | ¥0.217/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.23644
3000 PCS/盘
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