导通电阻(RDS(on)):115mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |