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DP6B20KC
扩展库- 品牌名称
- Doeshare(德芯)
- 厂家型号
- DP6B20KC
- 商品编号
- C2931708
- 商品封装
- SOT-883-3
- 商品毛重
- 0.00001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):4.2pF,导通电阻(RDS(on)):800mΩ@2.5V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.48W,输入电容(Ciss):39pF,输出电容(Coss):6.4pF,连续漏极电流(Id):0.6A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.48W | |
| 输入电容(Ciss) | 39pF | |
| 输出电容(Coss) | 6.4pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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