反向传输电容(Crss):36pF,导通电阻(RDS(on)):165mΩ,导通电阻(RDS(on)):165mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):50nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):950pF,连续漏极电流(Id):19A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 36pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@20V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 125W | |
输入电容(Ciss) | 950pF | |
连续漏极电流(Id) | 19A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥21.03/个 |
10+ | ¥18.26/个 |
30+ | ¥13.52/个 |
90+ | ¥11.74/个 |
510+ | ¥10.94/个 |
1020+ | ¥10.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.4384
30 PCS/盘
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