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STW18N60M2
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STW18N60M2
- 商品编号
- C967656
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.006558千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1.3pF,导通电阻(RDS(on)):0.255Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):21.5nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):791pF,输出电容(Coss):40pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.255Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 791pF | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 30+ | ¥14.71/个 |
| 100+ | ¥14.48/个 |
| 102+ | ¥14.48/个 |
| 104+ | ¥14.48/个 |
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