反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):118mΩ@10V,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):17.7nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.1W,输入电容(Ciss):637pF@30V,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 118mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 637pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.829/个 |
| 50+ | ¥0.724/个 |
| 150+ | ¥0.679/个 |
| 500+ | ¥0.623/个 |
| 3000+ | ¥0.598/个 |
| 6000+ | ¥0.583/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.55016
3000 PCS/盘
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