温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
RM2520ES6
扩展库- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 厂家型号
- RM2520ES6
- 商品编号
- C3280191
- 商品封装
- SOT-23-6
- 商品毛重
- 0.000044千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
导通电阻(RDS(on)):1.2Ω@4.5V,500mA,导通电阻(RDS(on)):600mΩ@4.5V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.8pC@4.5V,栅极电荷量(Qg):0.6pC@4.5V,漏源电压(Vdss):25V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):800mW,输入电容(Ciss):30pF@10V,输入电容(Ciss):87pF@10V,连续漏极电流(Id):1.1A,连续漏极电流(Id):800mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V,阈值电压(Vgs(th)):1V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V,500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@4.5V,500mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8pC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.6pC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 87pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
0.161 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车