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1个N沟道耐压:900V 电流:6A

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品牌名称: ST(意法半导体)
厂家型号: STW6N90K5
商品编号: C2970595
商品封装: TO-247-3
商品毛重: 0.0073千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):1.2pF@100V,导通电阻(RDS(on)):1.1Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@720V,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):342pF@100V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):5V@100uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	1.2pF@100V
导通电阻(RDS(on))	1.1Ω@10V
工作温度	-55℃~+150℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	11nC@720V
漏源电压(Vdss)	900V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	110W
输入电容(Ciss)	342pF@100V
连续漏极电流(Id)	6A
阈值电压(Vgs(th))	5V@100uA