导通电阻(RDS(on)):0.8mΩ@10V,20A,导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):85nC@10V,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):25V,耗散功率(Pd):20W,耗散功率(Pd):3.1W,耗散功率(Pd):69W,耗散功率(Pd):3.2W,输入电容(Ciss):1150pF@12.5V,输入电容(Ciss):4520pF@12.5V,连续漏极电流(Id):85A,连续漏极电流(Id):25A,连续漏极电流(Id):62A,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V,20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1150pF@12.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4520pF@12.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |