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NVMFD5C446NT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVMFD5C446NT1G
- 商品编号
- C900387
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000169千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):44pF@32V,导通电阻(RDS(on)):2.9mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):38nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2450pF@32V,连续漏极电流(Id):127A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@32V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2450pF@32V | |
| 连续漏极电流(Id) | 127A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥23.866/个 |
| 10+ | ¥20.495/个 |
| 30+ | ¥18.489/个 |
| 100+ | ¥16.465/个 |
| 500+ | ¥15.523/个 |
| 1500+ | ¥15.101/个 |
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整盘单价¥15.101
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