NVMFD5C478NT1G实物图
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NVMFD5C478NT1G

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品牌名称
onsemi(安森美)
厂家型号
NVMFD5C478NT1G
商品编号
C604572
商品封装
DFN-8(5x6)
商品毛重
0.0004千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):10pF@25V,导通电阻(RDS(on)):14mΩ,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.3nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):23W,输入电容(Ciss):325pF,输出电容(Coss):165pF,连续漏极电流(Id):27A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)10pF@25V
导通电阻(RDS(on))14mΩ
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
数量2个N沟道
栅极电荷量(Qg)6.3nC@10V
漏源电压(Vdss)40V
类型N沟道
耗散功率(Pd)23W
输入电容(Ciss)325pF
输出电容(Coss)165pF
连续漏极电流(Id)27A
配置-
阈值电压(Vgs(th))3.5V

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阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥7.77/个
10+¥7.57/个
30+¥7.43/个
100+¥7.3/个
102+¥7.3/个
104+¥7.3/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥7.3

1500 PCS/盘

换料费券¥300

库存总量

10 PCS
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