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ASDM60N70Q-R
扩展库- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 厂家型号
- ASDM60N70Q-R
- 商品编号
- C2972885
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000221千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):34pF,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):56.5W,输入电容(Ciss):2455pF,输出电容(Coss):240pF,连续漏极电流(Id):64A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 2455pF | |
| 输出电容(Coss) | 240pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 64A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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