导通电阻(RDS(on)):13.7mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.9W,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):910pF@15V,连续漏极电流(Id):10A,连续漏极电流(Id):13.8A,配置:半桥,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.7mΩ@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.8A | |
| 配置 | 半桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |