反向传输电容(Crss):650pF,导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):72nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):63W,输入电容(Ciss):3770pF,输出电容(Coss):915pF,连续漏极电流(Id):42A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@50uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 输入电容(Ciss) | 3770pF | |
| 输出电容(Coss) | 915pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@50uA |