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IRLR8103VPBF-IR
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IRLR8103VPBF-IR
- 商品编号
- C3288415
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 袋装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):109pF,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):115W,输入电容(Ciss):2672pF@16V,输出电容(Coss):1064pF,连续漏极电流(Id):91A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 输入电容(Ciss) | 2672pF@16V | |
| 输出电容(Coss) | 1064pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 91A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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