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1个N沟道 耐压:650V 电流:31.2A
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPW65R110CFDFKSA2
- 商品编号
- C3278944
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):110mΩ@12.7A,10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):118nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):277.8W,输入电容(Ciss):3240pF@100V,连续漏极电流(Id):31.2A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@1.3mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@12.7A,10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 277.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 3240pF@100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.3mA |
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