反向传输电容(Crss):741pF@400V,导通电阻(RDS(on)):0.115Ω@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):41nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):114W,输入电容(Ciss):1950pF@400V,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@0.49mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 741pF@400V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.115Ω@10V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 41nC | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 114W | |
输入电容(Ciss) | 1950pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 21A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.49mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥26.93/个 |
10+ | ¥26.31/个 |
30+ | ¥25.9/个 |
90+ | ¥25.49/个 |
92+ | ¥25.49/个 |
94+ | ¥25.49/个 |
整盘
单价
整盘单价¥23.828
30 PCS/盘
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