反向传输电容(Crss):1153pF@400V,导通电阻(RDS(on)):0.075Ω@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):68nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):171W,输入电容(Ciss):3288pF,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@0.82mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1153pF@400V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.075Ω@10V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 171W | |
输入电容(Ciss) | 3288pF | |
连续漏极电流(Id) | 32A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.82mA |