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IPW50R190CE
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPW50R190CE
- 商品编号
- C3289084
- 商品封装
- TO-247-3-41
- 商品毛重
- 0.007562千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):251pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.19Ω@13V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):47.2nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):152W,输入电容(Ciss):1137pF,输出电容(Coss):68pF,连续漏极电流(Id):24.8A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@0.51mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 251pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.19Ω@13V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 耗散功率(Pd) | 152W | |
| 输入电容(Ciss) | 1137pF | |
| 输出电容(Coss) | 68pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 24.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.51mA |
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