导通电阻(RDS(on)):35mΩ@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):145nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):305W,输入电容(Ciss):7149pF,输出电容(Coss):95pF,连续漏极电流(Id):63A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@1.79mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 305W | |
输入电容(Ciss) | 7149pF | |
输出电容(Coss) | 95pF | |
连续漏极电流(Id) | 63A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.79mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥56.26/个 |
10+ | ¥54.82/个 |
30+ | ¥53.86/个 |
100+ | ¥52.9/个 |
500+ | ¥52.9/个 |
1000+ | ¥52.9/个 |
整盘
单价
整盘单价¥52.9
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