导通电阻(RDS(on)):35mΩ@10V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):145nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):305W,输入电容(Ciss):7149pF,输出电容(Coss):95pF,连续漏极电流(Id):63A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@1.79mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 305W | |
| 输入电容(Ciss) | 7149pF | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@1.79mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥70.67/个 |
| 10+ | ¥67.16/个 |
| 30+ | ¥61.09/个 |
| 100+ | ¥55.8/个 |
| 102+ | ¥55.8/个 |
| 104+ | ¥55.8/个 |
整盘
单价
整盘单价¥56.2028
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