反向传输电容(Crss):36pF@400V,导通电阻(RDS(on)):99mΩ@10V,12.5A,工作温度:-40℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):53nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):127W,输入电容(Ciss):2513pF@400V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@400V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V,12.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 127W | |
| 输入电容(Ciss) | 2513pF@400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥28.89/个 |
| 10+ | ¥28.15/个 |
| 30+ | ¥27.66/个 |
| 90+ | ¥27.17/个 |
| 92+ | ¥27.17/个 |
| 94+ | ¥27.17/个 |
整盘
单价
整盘单价¥27.164
30 PCS/盘
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