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SiC沟槽MOSFET，具备.xT互连技术，低开关损耗、可控dV/dt、抗寄生导通、体二极管耐用、散热性能好
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMBG120R090M1HXTMA1
- 商品编号
- C3279260
- 商品封装
- TO-263-7-12
- 商品毛重
- 0.002267千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):136W,连续漏极电流(Id):26A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A |
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