温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
IMBG120R060M1HXTMA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMBG120R060M1HXTMA1
- 商品编号
- C3279261
- 商品封装
- TO-263-7-12
- 商品毛重
- 0.0032千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5.5pF,导通电阻(RDS(on)):83mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):34nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):181W,输入电容(Ciss):1145pF,输出电容(Coss):53pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):5.7V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 181W | |
| 输入电容(Ciss) | 1145pF | |
| 输出电容(Coss) | 53pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
35.65 / PCS库存总量
0 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车