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AOT1N60
扩展库- 品牌名称
- AOS
- 厂家型号
- AOT1N60
- 商品编号
- C3280442
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002718千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):9Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):41.7W,输入电容(Ciss):160pF,连续漏极电流(Id):1.3A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 41.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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