导通电阻(RDS(on)):104mΩ@18V,10A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@18V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):165W,输入电容(Ciss):785pF@800V,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@18V,10A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@18V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF@800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |