反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):104mΩ,栅极电荷量(Qg):60nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):165W,输入电容(Ciss):785pF,输出电容(Coss):75pF,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |