导通电阻(RDS(on)):520mΩ@20V,5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):37nC@20V,漏源电压(Vdss):3300V,耗散功率(Pd):131W,输入电容(Ciss):579pF@2400V,连续漏极电流(Id):11A,阈值电压(Vgs(th)):2.97V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@20V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 37nC@20V | |
漏源电压(Vdss) | 3300V | |
耗散功率(Pd) | 131W | |
输入电容(Ciss) | 579pF@2400V | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.97V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥291.39/个 |
3+ | ¥291.39/个 |
5+ | ¥291.39/个 |
30+ | ¥278.58/个 |
34+ | ¥278.58/个 |
36+ | ¥278.58/个 |
整盘
单价
整盘单价¥268.0788
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