反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):47mΩ@18V,21A,导通电阻(RDS(on)):36mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):91nC@18V,栅极电荷量(Qg):91nC,漏源电压(Vdss):1200V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):176W,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):2335pF@800V,输入电容(Ciss):2335pF,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):43A,连续漏极电流(Id):43A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V,阈值电压(Vgs(th)):4.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@18V,21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@18V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 2335pF@800V | |
| 输入电容(Ciss) | 2335pF | |
| 输出电容(Coss) | 70pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 连续漏极电流(Id) | 43A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V |