反向传输电容(Crss):19pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@18V,栅极电荷量(Qg):48nC@18V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):134W,输入电容(Ciss):571pF,输出电容(Coss):39pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V@5mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 19pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@18V | |
栅极电荷量(Qg) | 48nC@18V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 134W | |
输入电容(Ciss) | 571pF | |
输出电容(Coss) | 39pF | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V@5mA |