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NTH4L160N120SC1
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTH4L160N120SC1
- 商品编号
- C898276
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.00964千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4.3pF@800V,导通电阻(RDS(on)):224mΩ@20V,12A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):111W,输入电容(Ciss):665pF@800V,连续漏极电流(Id):17.3A,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF@800V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 224mΩ@20V,12A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 111W | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF@800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
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