导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,21A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):135nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):400W,输入电容(Ciss):6500pF@300V,连续漏极电流(Id):61.8A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,21A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 135nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 400W | |
输入电容(Ciss) | 6500pF@300V | |
连续漏极电流(Id) | 61.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |