反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):105nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):187W,输出电容(Coss):162pF,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):4.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 输出电容(Coss) | 162pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |