导通电阻(RDS(on)):81mΩ@18V,12A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):64nC@18V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):115W,输入电容(Ciss):1498pF@800V,连续漏极电流(Id):26A,阈值电压(Vgs(th)):4.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 81mΩ@18V,12A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 64nC@18V | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
耗散功率(Pd) | 115W | |
输入电容(Ciss) | 1498pF@800V | |
连续漏极电流(Id) | 26A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V |