反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):151nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):352W,输入电容(Ciss):3175pF,输出电容(Coss):146pF,连续漏极电流(Id):68A,阈值电压(Vgs(th)):4.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 151nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 352W | |
| 输入电容(Ciss) | 3175pF | |
| 输出电容(Coss) | 146pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥352.86/个 |
| 10+ | ¥342.22/个 |
| 30+ | ¥342.22/个 |
| 100+ | ¥342.22/个 |
| 500+ | ¥342.22/个 |
| 1000+ | ¥342.22/个 |
整盘
单价
整盘单价¥314.8424
30 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉821.328元